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創新技術推動國家功率半導體產業持續發展

----天际亚洲开户半導體兩項“嵌入式溝槽發射極”IGBT技術成果在國際頂級功率半導體會議ISPSD上成功發表

發佈時間:2018-06-22 瀏覽量:1086 來源: 字號:[ ]

5月13日至17日aaa,國際公認的功率半導體學術會議——第30屆IEEE國際功率半導體器件和Ics國際研討會(以下簡稱ISPSD)在美國芝加哥舉行aaaaa,本次會議也是“ISPSD 30週年慶典”aaaa。 “來自全球23個國家和地區的知名功率半導體公司aaaaa,行業和學術界人士參加了此次活動aaaa。

在此次ISPSD會議上aaaaa,Automotive Times Semiconductor發佈了兩個“嵌入式溝槽發射極”IGBT(RET-IGBT)結果aaa,受到了業界的廣泛關注aaaaa。

近年來aaa,CRRC時代半導體一直致力於高功率密度IGBT的研究並取得了一定的成果aaa。 2017年aaaa,在日本札幌舉行的第29屆ISPSD Celebrity Times Semiconductor首次發佈了1700V RET-IGBT的技術成果aaa。今年在美國芝加哥舉行的第30屆ISPSDaaaaa,CRRC時代半導體再次發佈了RET-IGBT技術的兩項新突破aaaaa,分別應用於750V和3300V電壓級IGBTaaa,將中國功率半導體產業的發展推向了一個新的高度aaaaa。

CRRC Times Semiconductor RET-IGBT技術成果受到業界的廣泛關注

精細溝槽是實現高功率密度IGBT的主流技術途徑aaaaa。隨着精化程度的提高aaaa,IGBT特性的線寬不斷減小aaa,製造難度增加aaa,對IGBT生產線的要求不斷提高aaa。 CRRC Times Semiconductor的RET-IGBT技術具有獨立的知識產權aaaa,創新地在發射極下嵌入一個或多個溝槽aaa,可以在不降低發射極接觸窗口的線寬和增加工藝難度的情況下大大改善aaa。 IGBT的精細程度aaaaa。同時aaa,RET結構爲空穴載流子提供了額外的傳輸路徑aaaa,這可以減小“P基極區/N +源極區”結上的電壓降aaaaa,從而增加觸發鎖存器的閾值aaaaa,以及大大擴展了IGBT的安全工作區域aaa。 SOAaaa。該技術使得在相同特徵尺寸下進一步改善IGBT導通電壓降VCE(ON) - 失去EOFF安全工作區域SOA折衷性能成爲可能aaaa。它具有顯着的技術優勢aaa,可廣泛應用於電動汽車aaa。軌道交通aaaa,智能電網和新能源等戰略性新興產業aaa。

RET-IGBT結構圖

與傳統IGBT相比aaaaa,RET-IGBT爲孔提供了額外的傳輸路徑

爲滿足對電動/混合動力汽車應用的需求aaaa,CRRC時代半導體進一步優化了RET-IGBT虛擬區域的結構aaaaa,並提出了一種具有嵌入式凹陷柵極(RDT)結構的RET-IGBTaaaa,並結合薄膜技術aaa。將RET-IGBT應用於汽車級750V IGBTaaaa,導通電壓降VCE(ON) - 關斷損耗EOFF權衡關係得到極大改善aaaaa。與傳統的IGBT結構相比aaaa,RET-IGBT導通電壓降VCE(ON)降低了0.35Vaaaa,即17.1%aaaaa。結合RDT結構aaaaa,傳導損耗EON和關斷損耗EOFF分別進一步降低了34.9%和12.3%aaa。

具有RDT結構的RET-IGBT結構示意圖

具有RDT結構的750V RET-IGBT VCE(ON)-EOFF權衡關係得到改善aaa,開關損耗降低

爲響應軌道交通和智能電網領域的應用需求aaaaa,CRRC時代半導體將RET-IGBT技術擴展至3300V電壓等級aaa。通過模擬器件的特性aaa,發現RET-IGBT的溝道耗盡僅在短路狀態下的檯面側發生aaa。即使在亞微米(0.5μm)檯面寬度aaaaa,RET-IGBT也能有效地抑制檯面之間的P基區域aaaaa。發生電導調製以促進SSOA在短路安全工作區域中的擴展aaa。準備好的3300V RET-IGBT實現了強大的SCSOA和RBSOA性能aaaa。

短路條件下3300V RET-IGBT的仿真結果

自1992年第四屆ISPSD以來aaaa,該會議每年舉辦一次aaa,輪流在日本aaaa,美國和歐洲舉行aaaa。近年來aaaaa,以中國爲代表的亞洲功率半導體產業的工業界和學術界在該行業中的影響力越來越大aaaaa。 2015年aaa,ISPSD首次在中國舉辦aaaa,亞洲地區(日本除外)也增加成爲四輪ISPSDaaaaa。其中一個地方aaa。 2019年5月19日aaaaa,第31屆ISPSD也將在上海舉行aaaa。 CRRC時代半導體將繼續在包括IGBT和SiC器件在內的功率半導體領域積極開展工作aaaaa,帶來更好的技術和產品aaaa,併爲推動中國功率半導體產業的快速發展而不懈努力aaaaa。

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